| 型号： | J112RL1 | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 |
| J112RL1 PDF |  |
| 产品变化通告 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 系列 | - |
| 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | - |
| 漏极电流 (Id) - 最大 | - |
| FET 型 | N 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 35V |
| 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id | 1V @ 1µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 电阻 - RDS（开） | 50 欧姆 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW |